Produkt

Powermanagement-ICs

Texas Instruments

Weltraumtaugliche 200 V GaN-FET-Gatetreiber

Die für Spannungen von 22 bis 200 V geeignete neue Gatetreiber-Familie von TI unterstützt mehrere Strahlungsstärken und ermöglicht Designern die Entwicklung effizienterer Stromversorgungs-Systeme für Weltraummissionen jeglicher Art.

SiC-E-Fuse-Demonstrator

Schaltkreisschutz in E-Fahrzeugen

E-Fuses auf SiC-Basis ersetzen herkömmliche Sicherungen und Relais in 800-V-Systemen...

Batteriemanagement-System

Infineon und EVE Energy arbeiten bei BMS zusammen

Infineon Technologies und Eve Energy, ein Hersteller von Lithium-Batterien, haben eine...

Distributionszentrum in Deutschland

»Die Strategie ist aufgegangen«

Texas Instruments baut seit Jahren seine eigenen Verkaufskanäle aus und hat nun ein...

Renesas Electronics

USB-PD-EPR-Lösung mit überdurchschnittlichem Wirkungsgrad

Renesas Electronics stellt den Batterielade-IC RAA489118 mit Abwärts-Aufwärtswandlung...

Fortschritte auf allen Ebenen nutzen

Einfachere Leistungswandlung in HV-Systemen

Eine effiziente Stromumwandlung in Hochspannungsanwendungen ist nicht einfach, aber...

Single-Pair Power over Ethernet

SPoE eröffnet neue Möglichkeiten

Power over Ethernet (PoE) war bisher auf 100 Meter beschränkt. Die neue...

Design Verification and Test

Der Wert von DVT bei der Auswahl von Stromversorgungen

Eine sehr gründliche Designprüfung eines Netzteiles liefert potenziellen Anwendern...

Renesas Electronics

Chipsatz für 2. Generation von DDR5-Server-MRDIMMs

Renesas Electronics stellt einen vollständigen Chipsatz für Speicherschnittstellen der...

PROFET Wire Guard mit I²t-Kabelschutz

Zuverlässige Stromversorgung mit eFuses

Mit PROFET Wire Guard stellt Infineon Technologies eine fortschrittliche Lösung für den...